Engenheiros da ASML e da alemã Carl Zeiss, que fabrica a óptica das máquinas da empresa holandesa, publicaram o projeto de uma possível sucessora da litografia High NA EUV, a geração mais avançada de equipamentos para imprimir circuitos em chips. Segundo a Reuters, que noticiou o estudo em 8 de outubro de 2026, a máquina, chamada Hyper NA, poderia ficar pronta em cerca de dez anos. A ASML já começou a desenvolvê-la, mas não se comprometeu a produzi-la.

O que o artigo propõe

O texto, intitulado “Hyper-NA: a system with a numerical aperture of at least 0.75”, saiu na edição de outubro do Journal of Micro/Nanopatterning, Materials and Metrology, revista com revisão por pares da SPIE. Os autores são Michael Patra, Heiko Feldmann, Jens Timo Neumann e Gerardo Bottiglieri, segundo o resumo publicado pela SemiEngineering. A abertura numérica, que mede quanto de luz a óptica consegue captar e define o menor detalhe que dá para imprimir, subiria dos 0,55 da High NA para pelo menos 0,75.

Pela conta da Reuters, isso permitiria imprimir estruturas de até 5 nanômetros, mais de um terço menores que as da High NA. A Electronics Weekly compara esse número aos 8 nanômetros das máquinas atuais. O artigo trata da arquitetura óptica, do potencial de resolução, dos efeitos tridimensionais da máscara, da polarização e do que seria preciso para estender o ecossistema EUV existente.

Reaproveitar o que já existe

O ponto central do projeto é mudar pouco a infraestrutura. Segundo a Reuters, os autores afirmam que a fonte de luz atual “pode ser reutilizada como está”, que a Zeiss já consegue fabricar espelhos com a precisão necessária e que a máquina seria só um pouco maior que as de High NA, que já têm o tamanho de um ônibus de dois andares. A Electronics Weekly acrescenta que os ângulos de incidência na máscara mudariam cerca de um grau em relação à High NA, o que permitiria usar a infraestrutura de máscaras atual com pequenos ajustes. A publicação diz ainda que, pelas conclusões do artigo, a polarização da luz traz ganho limitado para muitos padrões bidimensionais quando se considera a perda de luz.

A Reuters observa que a menção à fonte de luz interessa a startups americanas que apostam em alternativas, como a xLight, que desenvolve fontes de laser de elétrons livres, e a Substrate, que trabalha com litografia de raios X. Segundo a agência, o artigo diz em nota que uma fonte de laser de elétrons livres não mudaria o projeto do sistema de iluminação. Depois da Hyper NA, ainda de acordo com os autores, seria preciso usar luz de comprimento de onda menor, tema que ainda está na pesquisa acadêmica.

Estágio e incertezas

Por ora, o que existe publicamente é o projeto, sem cronograma oficial nem preço confirmado pela ASML, que não comentou o estudo quando procurada pela Reuters. A própria High NA ainda está no começo da adoção: a Intel já a usa em produção, enquanto Samsung e SK Hynix disseram no mês passado que começariam em 2028, e a TSMC, em 2030, segundo a Reuters. O desempenho dessas máquinas em fábrica, com custo, manutenção e produtividade reais, deve pesar na decisão dos fabricantes sobre uma nova troca de geração.

Para quem acompanha o setor, o artigo indica o caminho que a única fornecedora de litografia EUV do mundo considera viável para continuar encolhendo transistores na próxima década. Não é, por enquanto, uma promessa de produto.

Fontes

• Reuters (reproduzida pelo The Star) — ASML, Zeiss say next-generation chipmaking technology may be ready in 10 years (08/10/2026)
• SemiEngineering — Hyper-NA EUV: The Next Extension Beyond High NA Lithography (Carl Zeiss, ASML) (07/10/2026)
• Electronics Weekly — ASML starts on Hyper NA EUV (09/10/2026)
• Journal of Micro/Nanopatterning, Materials and Metrology (SPIE) — Hyper-NA: a system with a numerical aperture of at least 0.75 (DOI 10.1117/1.JMM.25.4.041807) (outubro de 2026)
• Tom's Hardware — Intel becomes the first company to ship high-volume logic chips made with ASML’s High-NA EUV (15/07/2026)

Imagem destacada: ilustração gerada por computador, sem valor documental.